Structural characterization of the system CuFeIIISe3 (III= Al, Ga, In)

Gerzon Delgado, Asiloé J. Mora, Jines E. Contreras A., Pedro Grima Gallardo, Sonia del V. Durán P., Marcos A. Muñoz P., Miguel A. Quintero T.

Resumen


In this work we report the structural characterization of the semiconductor system CuFeIIISe3 (III= Al, Ga, In), using X-ray powder diffraction data. All compounds crystallize in the tetragonal space group P 2c (Nº 112), Z = 1, with unit cell parameters a = 5.609(1) Å, c = 10.963(2) Å for CuFeAlSe3, a = 5.6165(3) Å, c = 11.075(1) Å for CuFeGaSe3, and a = 5.7762(3) Å, c = 11.5982(7) Å for CuFeInSe3.

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