La estructura MOS como sensor de flujo de fotones

Resumen

En este trabajo se usó el método de barrido de voltaje senoidal para medir la densidad del flujo de fotones, usando una estructura MOS (metal-óxido-semiconductor). Se realizó un análisis teórico que soporta los resultados experimentales. Se encontró que la relación entre la densidad de flujo de fotones y la capacitancia de saturación es lineal, aun cuando se presente generación apoyada por campo eléctrico, es decir, esta medición es independiente de la naturaleza de los defectos en el semiconductor. Resultado muy importante, que permite la fabricación de sensores de luz con base a las estructuras MOS.